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CY670
Kryogener Silizium-Dioden-Temperatursensor
- Beste Genauigkeit über den breitesten nutzbaren Temperaturbereich, 1,4 bis 500 K
- Engste Toleranzen für Anwendungen von 30 bis 500 K
- Robustes, zuverlässiges SD-Gehäuse (entwickelt, um wiederholte thermische Zyklen zu überstehen und die Eigenwärmeentwicklung des Sensors zu minimieren)
- Übereinstimmung mit der Standardkurve CY670 (Temperatur-Ansprechkurve, verschiedene Gehäuseoptionen)
CY670
Von
€
698,28
Produktübersicht
- Strom, max. Hinweis 1 mA, kontinuierlich oder 100 mA, gepulst
- Ausgangssignal Spannung
- Prozesstemperatur, max. 226.85 °C
- Prozesstemperatur, min. -271.8 °C
- Empfohlene Erregung 10 µA, ± 0,1 %
- Wiederholgenauigkeit ± 10 mK @ 4,2 K
- Rückspannung 60 V
- Serien-ID CY670
- Auswirkungen der Versorgungsspannung 16 µW @ 4,2 K; 10 µW @ 77 K; 5 µW @ 300 K
- Temperatursensor-Typ Siliziumdiode
- Thermische Reaktionszeit SD-Modell: Typisch <10 ms @ 4,2 K, 100 ms @ 77 K, 200 ms @ 305 K; BR-Modell: 1 ms @ 4,2 K, 13 ms @ 77 K, 20 ms @ 305 K
- Verwendung in Magnetfeldern Hinweis Nicht empfohlen für den Einsatz in magnetischen Feldanwendungen unter 60 K; geringe Abhängigkeit vom Magnetfeld bei Verwendung in Feldern bis zu 5 Tesla oberhalb von 60 K
- Verwendung bei Strahlung Hinweis Empfohlen nur für den Einsatz bei niedrigem Strahlungsniveau
Die Siliziumdioden der CY670-Serie bieten eine genauere Temperaturbereichsmessung im Vergleich zu zuvor vermarkteten Siliziumdioden. Entsprechend der Kurve CY670, der Standard-Spannungs-gegen-Temperatur-Antwortkurve, sind die Sensoren der CY670-Serie austauschbar und benötigen für viele Anwendungen keine individuelle Kalibrierung. Sensoren der CY670-Serie im SD-Gehäuse sind in 5 Toleranzklassen erhältlich – 3 für den allgemeinen kryogenen Einsatz im Temperaturbereich von 1,4 bis 500 K und 1, die eine überlegene Genauigkeit für Anwendungen von 30 K bis Raumtemperatur bietet. Die Sensoren der CY670-Serie sind außerdem in einer Toleranzklasse (E) erhältlich, die nur als nackter Chip verfügbar ist. Für Anwendungen, die eine höhere Genauigkeit erfordern, sind CY670-SD-Dioden mit Kalibrierung über den gesamten Temperaturbereich von 1,4 bis 500 K erhältlich.
Der CY670E-Nacktdie-Sensor bietet die kleinste Baugröße und die schnellste thermische Ansprechzeit aller heute auf dem Markt erhältlichen Siliziumdioden. Dies ist ein wichtiger Vorteil für Anwendungen, bei denen Größe und thermische Ansprechzeit kritisch sind, einschließlich Fokalebenenarrays und Hochtemperatur-Supraleiterfiltern für die Mobilkommunikation.
SPEZIFIKATIONEN
Standardkurve: Kurve CY670, siehe Diagramm auf der nächsten Seite
Empfohlene Anregung: 10 µA, ± 0,1 %
Max. Sperrspannung: 60 V
Max. Strom vor Beschädigung: 1 mA kontinuierlich oder 100 mA gepulst
Leistungsaufnahme bei empfohlener Anregung: 16 µW @ 4,2 K; 10 µW @ 77 K; 5 µW @ 300 K
Thermische Ansprechzeit: SD-Modell: Typisch <10 ms @ 4,2 K, 100 ms @ 77 K, 200 ms @ 305 K
BR-Modell: 1 ms @ 4,2 K, 13 ms @ 77 K, 20 ms @ 305 K
Verwendung in Strahlung: Empfohlen nur für den Einsatz bei niedriger Strahlungsbelastung
Verwendung im Magnetfeld: Nicht empfohlen für Anwendungen im Magnetfeld unter 60 K; geringe Magnetfeldabhängigkeit bei Verwendung in Feldern bis 5 Tesla über 60 K
Reproduzierbarkeit(*): ± 10 mK @ 4,2 K
(*) Kurzzeit-Reproduzierbarkeitsdaten werden durch wiederholte thermische Schocks des Sensors von 305 bis 4,2 K ermittelt.
Der CY670E-Nacktdie-Sensor bietet die kleinste Baugröße und die schnellste thermische Ansprechzeit aller heute auf dem Markt erhältlichen Siliziumdioden. Dies ist ein wichtiger Vorteil für Anwendungen, bei denen Größe und thermische Ansprechzeit kritisch sind, einschließlich Fokalebenenarrays und Hochtemperatur-Supraleiterfiltern für die Mobilkommunikation.
SPEZIFIKATIONEN
Standardkurve: Kurve CY670, siehe Diagramm auf der nächsten Seite
Empfohlene Anregung: 10 µA, ± 0,1 %
Max. Sperrspannung: 60 V
Max. Strom vor Beschädigung: 1 mA kontinuierlich oder 100 mA gepulst
Leistungsaufnahme bei empfohlener Anregung: 16 µW @ 4,2 K; 10 µW @ 77 K; 5 µW @ 300 K
Thermische Ansprechzeit: SD-Modell: Typisch <10 ms @ 4,2 K, 100 ms @ 77 K, 200 ms @ 305 K
BR-Modell: 1 ms @ 4,2 K, 13 ms @ 77 K, 20 ms @ 305 K
Verwendung in Strahlung: Empfohlen nur für den Einsatz bei niedriger Strahlungsbelastung
| Einsatzbereich | Grenze Min | Grenze Max |
|---|---|---|
| CY670-SD | 1,4 K | 500 K |
| CY670E-BR | 1,4 K | 500 K |
Verwendung im Magnetfeld: Nicht empfohlen für Anwendungen im Magnetfeld unter 60 K; geringe Magnetfeldabhängigkeit bei Verwendung in Feldern bis 5 Tesla über 60 K
Reproduzierbarkeit(*): ± 10 mK @ 4,2 K
(*) Kurzzeit-Reproduzierbarkeitsdaten werden durch wiederholte thermische Schocks des Sensors von 305 bis 4,2 K ermittelt.
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