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CY670
Sensore di temperatura a diodo al silicio criogenico
- Massima precisione nell’intervallo di temperatura utile più ampio, da 1,4 a 500 K
- Tolleranze più strette per applicazioni da 30 a 500 K
- Package SD robusto e affidabile (progettato per resistere a cicli termici ripetuti e minimizzare l’auto-riscaldamento del sensore)
- Conformità alla curva standard CY670 (varietà di curve di risposta alla temperatura e opzioni di packaging)
CY670
Da
€
698,28
Panoramica del Prodotto
- Corrente, max Nota 1 mA, continuo o 100 mA, impulsato
- Uscita segnale Tensione
- Temperatura di processo, max 226.85 °C
- Temperatura di processo, min. -271.8 °C
- Eccitazione raccomandata 10 µA, ± 0,1%
- Ripetibilit ± 10 mK @ 4,2 K
- Tensione inversa 60 V
- ID serie CY670
- Effetti dell'alimentazione 16 µW a 4,2 K; 10 µW a 77 K; 5 µW a 300 K
- Tipo di sensore di temperatura Diodo al silicio
- Tempo di risposta termica Modello SD: Tipico <10 ms @ 4,2 K, 100 ms @ 77 K, 200 ms @ 305 K; Modello BR: 1 ms @ 4,2 K, 13 ms @ 77 K, 20 ms @ 305 K
- Utilizzo in campo magnetico Nota Non raccomandato per l’uso in applicazioni con campo magnetico sotto i 60 K; bassa dipendenza dal campo magnetico se utilizzato in campi fino a 5 tesla sopra i 60 K
- Uso in radiazioni Nota Raccomandato per l'uso solo in condizioni di bassa radiazione
La serie CY670 di diodi al silicio offre una lettura più accurata degli intervalli di temperatura rispetto ai diodi al silicone precedentemente commercializzati. Conformi alla curva standard di tensione rispetto alla temperatura CY670, i sensori della serie CY670 sono intercambiabili e, per molte applicazioni, non richiedono calibrazione individuale. I sensori della serie CY670 nel package SD sono disponibili in 5 bande di tolleranza – 3 per uso criogenico generale nell’intervallo di temperatura da 1,4 a 500 K, e 1 che offre una precisione superiore per applicazioni da 30 K fino alla temperatura ambiente. I sensori della serie CY670 sono inoltre disponibili in una banda di tolleranza (E), disponibile solo come chip nudo. Per applicazioni che richiedono maggiore precisione, i diodi CY670-SD sono disponibili con calibrazione su tutto l’intervallo di temperatura da 1,4 a 500 K.
Il sensore chip nudo CY670E offre la dimensione fisica più piccola e il tempo di risposta termica più rapido di qualsiasi diodo al silicio attualmente sul mercato. Questo rappresenta un vantaggio importante per applicazioni in cui dimensione e tempo di risposta termica sono critici, inclusi array di piani focali e filtri superconduttori ad alta temperatura per comunicazioni cellulari.
SPECIFICHE
Curva standard: Curva CY670, vedere grafico a pagina successiva
Eccitazione raccomandata: 10 µA, ± 0,1%
Tensione inversa massima: 60 V
Corrente massima prima del danno: 1 mA, continua o 100 mA, impulsiva
Dispersione con eccitazione raccomandata: 16 µW @ 4,2 K; 10 µW @ 77 K; 5 µW @ 300 K
Tempo di risposta termica: Modello SD: tipico <10 ms @ 4,2 K, 100 ms @ 77 K, 200 ms @ 305 K
Modello BR: 1 ms @ 4,2 K, 13 ms @ 77 K, 20 ms @ 305 K
Uso in radiazione: Raccomandato l’uso solo in radiazioni a basso livello
Uso in campo magnetico: Non raccomandato l’uso in applicazioni con campo magnetico sotto i 60 K; bassa dipendenza dal campo magnetico se usato in campi fino a 5 tesla sopra i 60 K
Riproducibilità(*): ± 10 mK @ 4,2 K
(*) I dati di riproducibilità a breve termine sono ottenuti sottoponendo il sensore a ripetuti shock termici da 305 a 4,2 K.
Il sensore chip nudo CY670E offre la dimensione fisica più piccola e il tempo di risposta termica più rapido di qualsiasi diodo al silicio attualmente sul mercato. Questo rappresenta un vantaggio importante per applicazioni in cui dimensione e tempo di risposta termica sono critici, inclusi array di piani focali e filtri superconduttori ad alta temperatura per comunicazioni cellulari.
SPECIFICHE
Curva standard: Curva CY670, vedere grafico a pagina successiva
Eccitazione raccomandata: 10 µA, ± 0,1%
Tensione inversa massima: 60 V
Corrente massima prima del danno: 1 mA, continua o 100 mA, impulsiva
Dispersione con eccitazione raccomandata: 16 µW @ 4,2 K; 10 µW @ 77 K; 5 µW @ 300 K
Tempo di risposta termica: Modello SD: tipico <10 ms @ 4,2 K, 100 ms @ 77 K, 200 ms @ 305 K
Modello BR: 1 ms @ 4,2 K, 13 ms @ 77 K, 20 ms @ 305 K
Uso in radiazione: Raccomandato l’uso solo in radiazioni a basso livello
| Intervallo di utilizzo | Limite Min | Limite Max |
|---|---|---|
| CY670-SD | 1,4 K | 500 K |
| CY670E-BR | 1,4 K | 500 K |
Uso in campo magnetico: Non raccomandato l’uso in applicazioni con campo magnetico sotto i 60 K; bassa dipendenza dal campo magnetico se usato in campi fino a 5 tesla sopra i 60 K
Riproducibilità(*): ± 10 mK @ 4,2 K
(*) I dati di riproducibilità a breve termine sono ottenuti sottoponendo il sensore a ripetuti shock termici da 305 a 4,2 K.
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