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CY670
Sensor de temperatura de diodo de silicio criogénico
- Mejor precisión en el rango de temperatura útil más amplio, de 1,4 a 500 K
- Tolerancias más estrictas para aplicaciones de 30 a 500 K
- Paquete SD robusto y fiable (diseñado para soportar ciclos térmicos repetidos y minimizar el auto calentamiento del sensor)
- Conformidad con la curva estándar CY670 (variedad de opciones de embalaje para la curva de respuesta de temperatura)
CY670
Desde
€
698,28
Resumen del Producto
- Corriente, máx. Nota 1 mA, continuo o 100 mA, pulsado
- Señal de salida Voltaje
- Temperatura máxima del proceso 226.85 °C
- Temperatura mínima del proceso -271.8 °C
- Excitación recomendada 10 µA, ± 0,1 %
- Repetibilidad ± 10 mK @ 4,2 K
- Tensión inversa 60 V
- ID de serie CY670
- Efectos de la alimentación eléctrica 16 µW a 4,2 K; 10 µW a 77 K; 5 µW a 300 K
- Tipo de sensor de temperatura Diodo de silicio
- Tiempo de respuesta térmica Modelo SD: Típico <10 ms @ 4.2 K, 100 ms @ 77 K, 200 ms @ 305 K; Modelo BR: 1 ms @ 4.2 K, 13 ms @ 77 K, 20 ms @ 305 K
- Uso en campo magnético Nota No se recomienda su uso en aplicaciones con campo magnético por debajo de 60 K; baja dependencia del campo magnético cuando se utiliza en campos de hasta 5 teslas por encima de 60 K
- Uso en radiación Nota Recomendado para su uso únicamente en radiación de bajo nivel
La serie CY670 de diodos de silicio ofrece una lectura más precisa de los rangos de temperatura en comparación con los diodos de silicio comercializados anteriormente. Conforme a la curva estándar de respuesta de voltaje frente a temperatura CY670, los sensores de la serie CY670 son intercambiables y, para muchas aplicaciones, no requieren calibración individual. Los sensores de la serie CY670 en el paquete SD están disponibles en 5 bandas de tolerancia: 3 para uso criogénico general en el rango de temperatura de 1,4 a 500 K, y 1 que ofrece una precisión superior para aplicaciones desde 30 K hasta temperatura ambiente. Los sensores de la serie CY670 también están disponibles en una banda de tolerancia (E), que solo está disponible como chip desnudo. Para aplicaciones que requieren mayor precisión, los diodos CY670-SD están disponibles con calibración en todo el rango de temperatura de 1,4 a 500 K.
El sensor chip desnudo CY670E ofrece el tamaño físico más pequeño y el tiempo de respuesta térmica más rápido de cualquier diodo de silicio en el mercado actual. Esta es una ventaja importante para aplicaciones donde el tamaño y el tiempo de respuesta térmica son críticos, incluyendo matrices de plano focal y filtros superconductores de alta temperatura para comunicaciones celulares.
ESPECIFICACIONES
Curva estándar: Curva CY670, ver gráfico en la página siguiente
Excitación recomendada: 10 µA, ± 0,1%
Tensión inversa máxima: 60 V
Corriente máxima antes de daño: 1 mA, continua o 100 mA, pulsada
Disipación a excitación recomendada: 16 µW @ 4,2 K; 10 µW @ 77 K; 5 µW @ 300 K
Tiempo de respuesta térmica: Modelo SD: Típico <10 ms @ 4,2 K, 100 ms @ 77 K, 200 ms @ 305 K
Modelo BR: 1 ms @ 4,2 K, 13 ms @ 77 K, 20 ms @ 305 K
Uso en radiación: Recomendado solo para uso en niveles bajos de radiación
Uso en campo magnético: No recomendado para uso en aplicaciones con campo magnético por debajo de 60 K; baja dependencia al campo magnético cuando se usa en campos hasta 5 teslas por encima de 60 K
Reproducibilidad(*): ± 10 mK @ 4,2 K
(*) Los datos de reproducibilidad a corto plazo se obtienen sometiendo el sensor a choques térmicos repetidos de 305 a 4,2 K.
El sensor chip desnudo CY670E ofrece el tamaño físico más pequeño y el tiempo de respuesta térmica más rápido de cualquier diodo de silicio en el mercado actual. Esta es una ventaja importante para aplicaciones donde el tamaño y el tiempo de respuesta térmica son críticos, incluyendo matrices de plano focal y filtros superconductores de alta temperatura para comunicaciones celulares.
ESPECIFICACIONES
Curva estándar: Curva CY670, ver gráfico en la página siguiente
Excitación recomendada: 10 µA, ± 0,1%
Tensión inversa máxima: 60 V
Corriente máxima antes de daño: 1 mA, continua o 100 mA, pulsada
Disipación a excitación recomendada: 16 µW @ 4,2 K; 10 µW @ 77 K; 5 µW @ 300 K
Tiempo de respuesta térmica: Modelo SD: Típico <10 ms @ 4,2 K, 100 ms @ 77 K, 200 ms @ 305 K
Modelo BR: 1 ms @ 4,2 K, 13 ms @ 77 K, 20 ms @ 305 K
Uso en radiación: Recomendado solo para uso en niveles bajos de radiación
| Rango de uso | Límite mínimo | Límite máximo |
|---|---|---|
| CY670-SD | 1,4 K | 500 K |
| CY670E-BR | 1,4 K | 500 K |
Uso en campo magnético: No recomendado para uso en aplicaciones con campo magnético por debajo de 60 K; baja dependencia al campo magnético cuando se usa en campos hasta 5 teslas por encima de 60 K
Reproducibilidad(*): ± 10 mK @ 4,2 K
(*) Los datos de reproducibilidad a corto plazo se obtienen sometiendo el sensor a choques térmicos repetidos de 305 a 4,2 K.
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