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CY670A-CU
Cryogenic Temperature Sensors - Silicon Diodes
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Spécifications du produit
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| Calibre du fil | 36 AWG |
| Courant, max Remarque | 1 mA, continuous or 100 mA, pulsed |
| Diamètre du capteur | 7.95 mm |
| Diamètre intérieur du capteur | 2.946 mm |
| Disponibilité de la bande de précision | 1; 2; 3; 4 |
| Effets de l'approvisionnement électrique | 16 µW @ 4.2 K; 10 µW @ 77 K; 5 µW @ 300 K |
| Excitation recommandée | 10 µA, ± 0.1% |
| Filetage du capteur | N/A |
| Hauteur du capteur | 4.343 mm |
| ID de série | CY670 |
| Montage | Small Copper bobbin |
| Répétabilité | ± 10 mK @ 4.2 K |
| Signal de sortie | Voltage |
| Temps de réponse thermique | SD Model: Typical <10 ms @; 4.2 K, 100 ms @ 77 K, 200 ms ;@ 305 K;BR Model: 1 ms @ 4.2 K, ;13 ms @ 77 K, 20 ms @ 305 K |
| Température maximale du processus | 226.85 °C |
| Température minimale du processus | -271.8 °C |
| Tension inverse | 60 V |
| Type de bande | Bande A |
| Type de capteur de température | Silicon Diode |
| Utilisation dans le rayonnement Remarque | Recommended for use only in low level radiation |
| Utilisation dans un champ magnétique Remarque | Not recommended for use in magnetic field applications below 60 K; low magnetic field dependence when used in fields up to 5 tesla above 60 K |
| Valeur brute du poids | 0.15 |
| Pays d'origine | United States |
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