CY670A-CU

Capteurs de température cryogénique - Diodes au silicium

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Disponibilité de la bande de précision

1; 2; 3; 4 2; 3; 4

Hauteur du capteur

Filetage du capteur

N/A 4-40 6-32

Type de bande

Bande A Bande B Bande C Bande D

C$2 343.21 / each

Item# CY670A-CU

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Calibre du fil	36 AWG
Courant, max Remarque	1 mA, continu ou 100 mA, pulsé
Diamètre du capteur	7.95 mm
Diamètre intérieur du capteur	2,946 mm
Disponibilité de la bande de précision	1; 2; 3; 4
Effets de l'approvisionnement électrique	16 µW à 4,2 K ; 10 µW à 77 K ; 5 µW à 300 K
Excitation recommandée	10 µA ; ± 0,1 %
Filetage du capteur	N/A
Hauteur du capteur	4.343 mm
ID de série	CY670
Montage	Petite bobine en cuivre
Répétabilité	± 10 mK à 4,2 K
Signal de sortie	Tension
Temps de réponse thermique	Modèle SD : Typique <10 ms @ 4,2 K, 100 ms @ 77 K, 200 ms @ 305 K ; Modèle BR : 1 ms @ 4,2 K, 13 ms @ 77 K, 20 ms @ 305 K
Température maximale du processus	226.85 °C
Température minimale du processus	-271.8 °C
Tension inverse	60 V
Type de bande	Bande A
Type de capteur de température	Diode au silicium
Utilisation dans le rayonnement Remarque	Recommandé uniquement pour une utilisation en cas de faible niveau de radiation
Utilisation dans un champ magnétique Remarque	Non recommandé pour une utilisation dans des applications de champ magnétique en dessous de 60 K ; faible dépendance au champ magnétique lorsqu'utilisé dans des champs jusqu'à 5 tesla au-dessus de 60 K
Valeur brute du poids	0.15
Pays d'origine	United States
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