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CY670A-CO
Capteurs de température cryogénique - Diodes au silicium
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Spécifications du produit
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| Courant, max Remarque | 1 mA, continu ou 100 mA, pulsé |
| Diamètre du fil | 0.38 mm |
| Disponibilité de la bande de précision | 1; 2; 3; 4 |
| Effets de l'approvisionnement électrique | 16 µW à 4,2 K ; 10 µW à 77 K ; 5 µW à 300 K |
| Excitation recommandée | 10 µA ; ± 0,1 % |
| Filetage du capteur | 4-40 |
| Hauteur du capteur | 11.252 mm |
| ID de série | CY670 |
| Largeur du capteur | 5.08 mm |
| Longueur du capteur | 7.925 mm |
| Longueur du fil | 19.304 mm |
| Longueur du fil du capteur | 914,4 mm |
| Montage | Style à pince |
| Répétabilité | ± 10 mK à 4,2 K |
| Signal de sortie | Tension |
| Temps de réponse thermique | Modèle SD : Typique <10 ms @ 4,2 K, 100 ms @ 77 K, 200 ms @ 305 K ; Modèle BR : 1 ms @ 4,2 K, 13 ms @ 77 K, 20 ms @ 305 K |
| Température maximale du processus | 226.85 °C |
| Température minimale du processus | -271.8 °C |
| Tension inverse | 60 V |
| Type de bande | Bande A |
| Type de capteur de température | Diode au silicium |
| Utilisation dans le rayonnement Remarque | Recommandé uniquement pour une utilisation en cas de faible niveau de radiation |
| Utilisation dans un champ magnétique Remarque | Non recommandé pour une utilisation dans des applications de champ magnétique en dessous de 60 K ; faible dépendance au champ magnétique lorsqu'utilisé dans des champs jusqu'à 5 tesla au-dessus de 60 K |
| Valeur brute du poids | 0.08 |
| Pays d'origine | United States |
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