1-800-663-4209 | Bienvenue sur notre nouveau site Web, vous avez rencontré un problème ou un bug? Veuillez le signaler ici
CY670A-BO
Cryogenic Temperature Sensors - Silicon Diodes
Ajouté à votre panier
Configuration complète.
Veuillez ajouter au panier pour la conserver ou quitter la configuration
Veuillez ajouter au panier pour la conserver ou quitter la configuration
Échec de l'enregistrement des configurations, cliquez sur le bouton Configurer pour recommencer
Spécifications du produit
<< Voir tous les modèles de produit| Marque |
 |
| Applications | Beryllium oxide heat sink block |
| Courant, max Remarque | 1 mA, continuous or 100 mA, pulsed |
| Diamètre du fil | 0.38 mm |
| Diamètre intérieur du capteur | 2.946 mm |
| Disponibilité de la bande de précision | 1; 2; 3; 4 |
| Effets de l'approvisionnement électrique | 16 µW @ 4.2 K; 10 µW @ 77 K; 5 µW @ 300 K |
| Excitation recommandée | 10 µA, ± 0.1% |
| Filetage du capteur | N/A |
| Hauteur du capteur | 3.175 mm |
| ID de série | CY670 |
| Largeur du capteur | 8.89 mm |
| Longueur du capteur | 7.62 mm |
| Longueur du fil | 19.304 mm |
| Montage | Bolt on |
| Nombre de fils | 2 |
| Répétabilité | ± 10 mK @ 4.2 K |
| Signal de sortie | Voltage |
| Temps de réponse thermique | SD Model: Typical <10 ms @; 4.2 K, 100 ms @ 77 K, 200 ms ;@ 305 K;BR Model: 1 ms @ 4.2 K, ;13 ms @ 77 K, 20 ms @ 305 K |
| Température maximale du processus | 226.85 °C |
| Température minimale du processus | -271.8 °C |
| Tension inverse | 60 V |
| Type de bande | Bande A |
| Type de capteur de température | Silicon Diode |
| Utilisation dans le rayonnement Remarque | Recommended for use only in low level radiation |
| Utilisation dans un champ magnétique Remarque | Not recommended for use in magnetic field applications below 60 K; low magnetic field dependence when used in fields up to 5 tesla above 60 K |
| Valeur brute du poids | 0.15 |
| Pays d'origine | United States |
| Voir toutes les spécifications | |
Afficher les évaluations et les avis